Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 3. Плазмоактивированные процессы в проточных реакторах

03.09.2018

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 3. Плазмоактивированные процессы в проточных реакторах / Нано- и микросистемная техника, 2018, Т. 20, №9, С. 542-554.

В части 3 обзора проанализированы технологии получения низкотемпературных кремний-азот-водородсодержащих пленок (КАВ-ТП) для интегральных микросхем и микроэлектромеханических систем. Рассмотрены процессы получения при плазменной активации кремнийсодержащих реагентов, газообразного аммиака и азота в проточных реакторах для плазмохимического осаждения (ПХО) из газовой фазы. Преимуществом таких процессов являются высокие скорости наращивания пленок при низкой (<400 °С) температуре осаждения, универсальность применения для подложек различных типов и различных материалов. К недостаткам относятся нежелательное для технологии интегральных микросхем присутствие водорода с общей концентрацией до 40 ат. %, связанного с кремнием и азотом, в результате чего пленки обладают низкой плотностью и высокими скоростями растворения в жидкостных травителях, а также плохая конформность осаждения на сложных рельефах приборов. Выделены и проанализированы направления развития метода ПХО применительно к КАВ-ТП.

Скачать PDF

DOI: 10.17587/nmst.20.542-554