Новости

Июль 2024:

Участие в 25‑ой международной конференции молодых специалистов в области электронных приборов и материалов IEEE EDM-2024 (респ. Алтай, 28 июня – 2 июля 2024). Представлены 3 доклада по тематике разработки микросхем для силовой электроники и дельта-сигма АЦП.

Апрель 2024:

Выполнен 2 этап работ по договору с АНО «Агентство по технологическому развитию» на разработку конструкторской документации на «Микросхему приемопередатчика».

Апрель 2024:

При поддержке Фонда Содействия Инновациям завершена разработка трех типов высоковольтных интегральных микросхем: двухканального драйвера силовых ключей, одноканального импульсного понижающего преобразователя, ШИМ-контроллера.

Данная продукция представлена в 5 выпуске Единого каталога ЭКБ для гражданского рынка.

Октябрь 2023:

Выполнен 3 этап НИОКР «Проектирование и разработка высоковольтных микросхем управления источниками вторичного электропитания широкого назначения», Заказчик – Фонд Содействия Инновациям.

Сентябрь 2023:

Инспекционный контроль подтвердил соответствие СМК предприятия требованиям ГОСТ Р ISO 9001-2015 применительно к следующим видам и классам изделий: быстродействующие аналого-цифровые преобразователи, дельта-сигма аналого-цифровые преобразователи, цифро-аналоговые преобразователи, аналого-цифровые преобразователи типа "система на кристалле", радиочастотные СБИС типа "система на кристалле", преобразователи напряжения.

Август 2023:

Получены свидетельства о государственной регистрации ТИМС на 3 типа микросхем, разработанных в рамках выполнения НИОКР «Проектирование и разработка высоковольтных микросхем управления источниками вторичного электропитания широкого назначения», Заказчик – Фонд Содействия Инновациям.

Июль 2023:

Выполнен 1 этап работ по договору с АНО «Агентство по технологическому развитию» на разработку конструкторской документации на «Микросхему приемопередатчика».

Апрель 2023:

Организация ООО "СибИС" включена в реестр организаций, осуществляющих деятельность в сфере радиоэлектронной промышленности под № 524.

Март 2023:

Заказчику сдана ОКР по разработке интегральной микросхемы преобразователя уровня с усилением тока.

Январь 2023:

Выполнен 2 этап НИОКР «Проектирование и разработка высоковольтных микросхем управления источниками вторичного электропитания широкого назначения», Заказчик – Фонд Содействия Инновациям.

Ноябрь 2022

Комиссии сдана СЧ ОКР по разработке СФ-блока компаратора с низким уровнем фазовых шумов, выполненная в интересах стороннего Заказчика.

Октябрь 2022:

В рамках Программы стимулирования производства комплектующих изделий (ПП РФ от 18.02.2022 № 208) заключен договор с АНО «Агентство по технологическому развитию» на разработку конструкторской документации на «микросхема приемопередатчика».

В научном журнале IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems (первый квартиль в Scopus, второй квартиль в Web of Science), 2022, vol.30, №10, p.p.1373-1380 опубликована статья сотрудников ООО "СибИС" Антонова А.А., Карповича М.С., Васильева В.Ю. "Power-On Reset Circuit in 180-nm CMOS with Brownout Detection, Stable Switching Points, Long Reset Pulse duration, and Resilience to Switching Noise".

Сентябрь 2022:

Инспекционный контроль подтвердил соответствие сертификата СМК предприятия требованиям ГОСТ Р ИСО 9001-2015 применительно к следующим видам и классам изделий: быстродействующие аналого-цифровые преобразователи, дельта-сигма аналого-цифровые преобразователи, цифро-аналоговые преобразователи, аналого-цифровые преобразователи типа "система на кристалле", радиочастотные СБИС типа "система на кристалле", преобразователи напряжения.

Август 2022:

Выполнен 1 этап НИОКР «Проектирование и разработка высоковольтных микросхем управления источниками вторичного электропитания широкого назначения», Заказчик – Фонд Содействия Инновациям.

Июль 2022:

Участие в 23‑ей международной конференции молодых специалистов в области электронных приборов и материалов IEEE EDM-2022 (респ. Алтай, 30 июня – 4 июля 2022). Представлен доклад по тематике разработки высоковольтных интегральных микросхем.

Март 2022:

ООО "СибИС" включена в реестр российских организаций, оказывающих услуги (выполняющих работы) по проектированию и разработке изделий электронной компонентной базы и электронной (радиоэлектронной) продукции (постановление Правительства РФ о ведении реестра от 31.12.2020, № 2392).

Февраль 2022:

9 февраля 2022 года подписан договор о вступлении ООО "СибИС" в Ассоциацию "Консорциум дизайн-центров и предприятий электронной промышленности" ("АКРП - Консорциум дизайн-центров").

Декабрь 2021:

20 декабря 2021 года подписан договор между ФГБУ "Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере" (далее Фонд, https://fasie.ru) и ООО "СибИС" о предоставлении гранта на проведение в 2022-2023 г.г. НИОКР по теме "Проектирование и разработка высоковольтных микросхем управления источниками вторичного электропитания широкого назначения" на основании итогов конкурса "ДизайнЦентры ЭКБ" в рамках программы "Развитие" Фонда.

14 декабря 2021 года генеральный директор Ю.Н. Попов принял участие в коллективном мероприятии по подписанию Соглашения о вступлении в Консорциум "Силовая электроника и энергетика" в Новосибирском государственном техническом университете. Ключевые задачи организации в Консорциуме: совместная разработка концепции построения силовых гибридных модулей вторичных источников электропитания и интегральных элементов систем силовой электроники.

Ноябрь 2021:

Участие в 15-ой международной научно-технической конференции АПЭП (IEEE, APEIE) 2021, НГТУ, г. Новосибирск, 19 – 21 ноября. Представлен доклад по тематике разработки интегральных микросхем

Октябрь 2021:

Подписано соглашение о научно-техническом сотрудничестве между АО "ОНИИП" и ООО "СибИС", предусматривающее взаимодействие по следующим направлениям совместной деятельности: 1. Проведение совместных НИОКР по разработке аналого-цифровых, радиочастотных, СВЧ микросхем и микросхем силовой электроники. 2. Проведение консультаций и оказание практической помощи по проектированию отдельных узлов интегральных микросхем, по применению современных САПР для проектирования СФ блоков и микросхем, по тестированию и испытанию микросхем, по применению измерительного и испытательного оборудования. 3. Подготовка совместных научно-технических публикаций по результатам совместной деятельности.

Сотрудник ООО "СибИС" Антонов А. А. принял участие в 6-ой международной научно-технической конференции «Радиотехника, электроника и связь» (РЭиС-2021, Омск, 6-8 октября 2021) с докладом «СФ-блок для сброса по питанию с функцией определения просадки напряжения и стойкостью к быстрым изменениям напряжения».

Сентябрь 2021:

В журнале "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника" (2021, вып.2) опубликована статья Васильева В.Ю. " Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 5. Особенности роста пленок в соответствии с моделями гидроксила на кремнеземе " / ЭТ. Сер.3. Микроэлектроника, 2021, вып. 2 (182), С. 10-16.

Июль 2021:

Сотрудник ООО "СибИС" Антонов А. А. возглавил секцию силовой электроники в качестве председателя секции на 22-ой международной конференции молодых специалистов в области электронных приборов и материалов IEEE EDM-2021 (респ. Алтай, 30 июня-4 июля 2021).

Июнь 2021:

В журнале "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника" (2021, вып.1) опубликована статья Васильева В.Ю. " Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 4. Температурные зависимости скоростей осаждения и плотности пленок " / ЭТ. Сер.3. Микроэлектроника, 2021, вып. 1 (181), С. 18-26.

Февраль 2021:

Подана заявка на включение предприятия в "Реестр российских организаций, оказывающих услуги (выполняющих работы) по проектированию и разработке изделий электронной компонентной базы и электронной (радиоэлектронной) продукции" Минпромторга РФ согласно Постановления Правительства РФ от 31.12.2020 № 2392.

Январь 2021:

Проведено заседание НТС по рассмотрению текущих и перспективных проектов на 2021-2022 г.г.

Декабрь 2020:

Инспекционный контроль подтвердил соответствие СМК предприятия требованиям ГОСТ Р ISO 9001-2015.

Ноябрь 2020:

В журнале "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника" (2020, вып.3) опубликована статья Васильева В.Ю. "Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть 3. Процессы атомно-слоевого осаждения" / ЭТ. Сер.3. Микроэлектроника, 2020, вып. 3 (179), С. 26-37.

В журнале "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника" (2020, вып.3) опубликована статья Васильева В.Ю. "Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть 2. Процессы химического осаждения из газовой фазы" / ЭТ. Сер.3. Микроэлектроника, 2020, вып. 3 (179), С.16-25.

Июль 2020:

В журнале "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника" (2020, вып.2) опубликована статья Васильева В.Ю. "Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть 1. Проблематика и методология оценки скорости роста слоев на рельефах" / ЭТ. Сер.3. Микроэлектроника, 2020, вып. 2 (178), С.16-25.

Март 2020:

В журнале "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника" (2020, вып.1) опубликована статья Васильева В.Ю. "Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 3. Процессы с азотсодержащими предшественниками" / ЭТ. Сер.3. Микроэлектроника, 2020, вып. 1 (177), С. 19-30.

В журнале "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника" (2020, вып.1) опубликована статья Васильева В.Ю. "Атомно-слоевое осаждение тонких слоев нитрида кремния для микро- и наноэлектроники" / ЭТ. Сер.3. Микроэлектроника, 2020, вып. 1 (177), С. 31-41.

Декабрь 2019:

В журнале "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника" (2019, вып.4) опубликована статья Васильева В.Ю. "Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 1. Постановка задач, методология осаждения пленок" / ЭТ. Сер.3. Микроэлектроника, 2019, вып. 4 (176), С. 45-53.

В журнале "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника" (2019, вып.4) опубликована статья Васильева В.Ю. "Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 2. Процессы с силанами, цианатами, хлорсиланами, кислородсодержащими реагентами" / ЭТ. Сер.3. Микроэлектроника, 2019, вып. 4 (176), С. 54-64.

Июль 2019:

Участие в юбилейной XХ Международной конференции EDM (IEEE, EDM 2019) 2019, Эрлагол, Алтай, 29 июня - 3 июля. Представлены 2 доклада по тематике разработки интегральных микросхем.

Июнь 2019:

Защищена диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 Черновым А.С. "Исследование и разработка оптоволоконного микро-оптоэлектромеханического кремниевого фотовольтаического датчика давления".

В журнале "Нано- и микросистемная техника" (2019, №6) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 8. Влияние водорода в пленках на их свойства" / НМСТ, 2019, Т. 21, №6, С. 352 - 367.

В журнале "Наноиндустрия" (2019, №3-4) опубликована статья Васильева В.Ю. "О методологии оценки конформности атомно-слоевого осаждения тонких пленок в высокоаспектных наноструктурах" /Наноиндустрия, 2019, №3-4, C.194 - 204.

Май 2019:

В журнале "Нано- и микросистемная техника" (2019, №5) опубликована статья Черепанова А.А., Новикова И.Л., Васильева В.Ю. "Считывающая электроника для СКВИД-магнетометров постоянного тока. Часть 3. Полупроводниковая криогенная электроника" / НМСТ, 2019, Т. 21, №5, С. 298-309.

Апрель 2019:

В журнале "Нано- и микросистемная техника" (2019, №4) опубликована статья Черепанова А.А., Новикова И.Л., Васильева В.Ю. "Считывающая электроника для СКВИД-магнетометров постоянного тока. Часть 2. Системы считывания и их ограничения" / НМСТ, 2019, Т. 21, №4, С. 231-246.

Март 2019:

В журнале "Нано- и микросистемная техника" (2019, №3) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 7. Обобщение информации по методам осаждения и особенностям пленок" / НМСТ, 2019, Т. 21, №3, С. 131-142.

Февраль 2019:

В научно-техническом журнале ВАК «Техника радиосвязи» опубликована статья сотрудников ООО «СибИС» "Особенности разработки высокочастотных ИМС на примере МШУ для приемника ГЛОНАСС/GPS. Часть 2. Интерфейс "кристалл ИМС - печатная плата" / Техника радиосвязи, 2018, Вып. 4(39), С.85-96.

В журнале "Нано- и микросистемная техника" (2019, №1) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 6. Каталитическое осаждение в проточных реакторах" / НМСТ, 2019, Т. 21, №1, С. 3-13.

В журнале "Нано- и микросистемная техника" (2019, №1) опубликована статья Черепанова А.А., Новикова И.Л., Васильева В.Ю. "Считывающая электроника для СКВИД-магнетометров постоянного тока. Часть 1. Магнитометры постоянного тока и их ограничения" / НМСТ, 2019, Т. 21, №1, С. 40-51.

Декабрь 2018:

В журнале "Нано- и микросистемная техника" (2018, №11) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 5. Плазмоактивированные процессы в реакторах циклического действия" / НМСТ, 2018, Т. 20, №11, С. 659-675.

Ноябрь 2018:

В журнале "Нано- и микросистемная техника" (2018, №10) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 4. Процессы в проточных реакторах с активацией плазмой высокой плотности" / НМСТ, 2018, Т. 20, №10, С. 585-595.

Октябрь 2018:

В научно-техническом журнале ВАК "Техника радиосвязи" опубликована статья сотрудников ООО "СибИС" "Особенности разработки высокочастотных ИМС на примере МШУ для приемника ГЛОНАСС/GPS. Часть 1. Топологическая реализация кристалла ИМС" / Техника радиосвязи, 2018, Вып. 3(38), С.91-100.

Участие в 14-ой международной научно-технической конференции АПЭП (IEEE, APEIE) 2018, НГТУ, г. Новосибирск, 2 – 6 октября. Представлены два доклада по тематике разработки интегральных микросхем для силовой и криогенной электроники, а также доклад по разработке МОЭМС сенсора давления.

Участие в работе Всероссийской юбилейной научно-технической конференции "Современное состояние и перспективы развития специальных систем радиосвязи и радиоуправления", 2018, ОНИИП, Омск, 3-5 октября. Представлен доклад по тематике разработки интегральных микросхем.

Получен сертификат о соответствии системы менеджмента качества ООО "СибИС" требованиям ГОСТ Р ИСО 9001-2015 со сроком действия по 03.10.2021.

Сентябрь 2018:

В журнале "Нано- и микросистемная техника" (2018, №9) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 3. Плазмоактивированные процессы в проточных реакторах" / НМСТ, 2018, Т. 20, №9, С. 542-554.

Август 2018:

Предприятие отметило 12 лет со дня основания.

Июль 2018:

Участие в XIХ Международной конференции EDM (IEEE, EDM 2018) 2018, Эрлагол, Алтай, 29 июня - 3 июля. Представлены 3 доклада по тематике разработки интегральных микросхем.

Июнь 2018:

Участие в ежегодной Всероссийской научно-технической конференции "Электропитание-2018", Новосибирск, 25-27 июня. Представлены 2 доклада по тематике разработки микросхем силовой электроники.

В журнале Нано- и микросистемная техника (2018, №6) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 2. Термически активированные процессы в реакторах циклического действия" / НМСТ, 2018, Т. 20, №6, С. 329-339.

Май 2018:

В журнале Нано- и микросистемная техника (2018, №5) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 1. Термически активированные процессы в проточных реакторах" / НМСТ, 2018, Т. 20, №5, С. 287-296.

В ходе визита в ЗАО "РиМ" 24 мая 2018 года состоялось посещение ООО "СибИС" полномочным представителем президента России в Сибирском федеральном округе Сергеем Меняйло и ознакомление с результатами разработок предприятия. Подробно можно ознакомиться по ссылке.

Апрель 2018:

Сотрудник предприятия, к.т.н. Антонов А.А., выступил с приглашенным пленарным докладом "Особенности разработки устройств современной электроники" в научно-технической конференции СибГУТИ (г. Новосибирск), посвященной Дню радио.

Март 2018:

Сотрудники предприятия Васильев В.Ю. и Черепанов А.А. приняли участие в научно-техническом семинаре "Разработка заказной СВЧ электроники для применения в квантовой области" (г. Москва) с докладом "О разработке заказных интегральных микросхем для криогенных приложений"

Октябрь 2017:

В журнале ВАК «Наноиндустрия» (2017, спецвыпуск (74)) опубликована статья Антонова А.А., Васильева В.Ю., Попова Ю.Н. "Разработка интегральных микросхем по высоковольтным субмикронным технологиям для силовой электроники".

Август 2017:

Предприятие отметило 11 лет со дня основания.

Июль 2017:

Участие в XVIII Международной конференции EDM (IEEE, EDM 2017) 2017, Эрлагол, Алтай, 29 июня - 3 июля. Представлены доклады по тематике разработки микросхем силовой электроники, СВЧ, а также МОЭМС сенсорам давлений.

Июнь 2017:

Сотрудники компании прошли курс повышения квалификации по программе "Внедрение системы менеджмента качества в соответствии с требованиями ГОСТ ИСО 9001-2015".

В компании проведена специальная оценка условий труда (СОУТ) на рабочих местах и установлен 2 класс, согласно классификации. Сводные данные по результатам СОУТ. Мероприятия по улучшению.

Март 2017:

Получено свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы "Микросхема управления активным выходным выпрямителем" №2017630067

Февраль 2017:

Ввод в эксплуатацию температурной испытательной системы Thermostream Temptronic ATS-545 (пр-во США). Данная система позволяет проводить испытания электронных компонентов и модулей в температурном диапазоне от -75°С до +225°С с быстрым переходом от одного диапазона температур к другому (с -55°до +125°C за ~7с).

Январь 2017:

Ввод в эксплуатацию полуавтоматической ультразвуковой установки для микросварки TPT HB16 (пр-во Германия).
Данная система позволяет производить разварку кристаллов в корпуса и на платы золотой и алюминиевой проволокой диаметром 17-75 мкм методами шарик-клин, клин-клин, а также формировать шариковые выводы.

Декабрь 2016:

Защищена диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 Антоновым А.А. "Исследование и разработка субмикронных интегральных микросхем управления для мощных малогабаритных источников вторичного электропитания в режиме мягкой коммутации силовых ключей".

Участие в научно-практической конференции/выставке ВУЗПРОМЭКСПО-2016 со стендовым докладом о результатах выполнения этапа 5 ПНИЭР "Разработка перспективных технологий и конструкций серии интегральных микросхем мультифункционального контроля и управления источниками вторичного электропитания энергоэффективных светодиодных систем"

Мы переехали!
Новый адрес: 630082, г. Новосибирск, ул. Дачная 60/1.
Адреса для получения корреспонденции: 630049, г. Новосибирск, а/я 68, по электронной почте: Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Октябрь 2016:

Участие в 13-ой Международной научно-технической конференции АПЭП (IEEE, APEIE) 2016, НГТУ, г. Новосибирск, 3 – 6 октября. Представлены два доклада по тематике разработки микросхем силовой электроники, а также два доклада по разработке МОЭМС сенсора давления и МЭМС генератора энергии.

Сентябрь 2016:

ООО "СибИС" стала членом технологической платформы "Национальная Информационная Спутниковая Система" (НИИС).

Участие во 2-ой научной конференции "Интегральные схемы и микроэлектронные модули" международного форума "Микроэлектроника 2016", г. Алушта, Республика Крым, 26 - 30 сентября. Представлен доклад по тематике разработки микросхем силовой электроники.

В журнале ВАК "Техника радиосвязи" (2016, №3(30)) опубликована статья Карповича М.С., Пичугина И.В., Лыся В.Д., Антонова А.А. "Проектирование библиотеки элементов ввода-вывода интегральных микросхем, выполненных по субмикронной высоковольтной КМОП-технологии".

Август 2016:

8 августа предприятие отметило 10-летний юбилей со дня основания.

К 10-летнему юбилею ООО "СибИС" вышел в свет специализированный выпуск ежемесячного междисциплинарного теоретического и прикладного научно-технического журнала "Нано- и микросистемная техника", том 18, номер 7, содержащий 5 статей сотрудников предприятия.

Июль 2016:

Участие в XVII Международной конференции EDM (IEEE, EDM 2016) 2016, Эрлагол, Алтай, 30 июня - 4 июля. Представлены шесть докладов по тематике разработки микросхем силовой электроники, радиолокации и МЭМС генераторам энергии.

Июнь 2016:

Участие в первой ежегодной "Национальной конференции с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микро/наносистемной технике" NMST-2016, г. Новосибирск, Седова заимка, 26 - 29 июня. Представлены два доклада по разработке МОЭМС сенсора давления и МЭМС генератора энергии.

Предприятию вручен диплом победителя конкурса "Новосибирская марка" 2016 в номинации "За разработку инновационных микроэлектронных изделий".

В журнале ВАК «Техника радиосвязи» (2016, №2(29)) опубликована статья "Интегральная микросхема для источника электропитания с высокой электросовместимостью".

Апрель 2016:

Участие в XI всероссийской научно-практической конференции "Перспективные системы и задачи управления", г. Симферополь

Март 2016:

Получено свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы "Схема управления источником вторичного электропитания, функционирующего в режиме постоянного напряжения" №2016630048

Февраль 2016:

Декабрь 2015:

Минобрнауки РФ сдана НИР "Исследование перспективных сверхвысокочастотных приборов, разработка технологических принципов их изготовления (СБИС широкополосного СВЧ локатора малой дистанции в диапазоне частот 3-11 ГГц)

Участие в научно-практической конференции по итогам реализации в 2015 году прикладных научных исследований и экспериментальных разработок в рамках ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технического комплекса России на 2014 - 2020 годы" с докладами о результатах выполнения этапа 3 ПНИЭР "Разработка перспективных технологий и конструкций серии интегральных микросхем мультифункционального контроля и управления источниками вторичного электропитания энергоэффективных светодиодных систем"

Участие в научной конференции с представителями сектора исследований и разработок, коммерческого сектора, высшего профессионального образования Сибирского федерального округа в рамках участия в 2015 году в реализации ФЦП Минобрнауки России, г. Кемерово

Ноябрь 2015:

Госкомиссией принята ОКР по разработке комплекта СБИС для навигационного приемника Глонасс/GPS с низким энергопотреблением, в т.ч. радиочастотной СБИС 5200МХ04Н4, разработанной ООО "СибИС"

Октябрь 2015:

Участие в работе II-й международной научно-технической конференции «Радиотехника, электроника и связь» (г. Омск) с докладом «Интегральная микросхема системы управления импульсными источниками электропитания с использованием технологии мягкой коммутации силовых ключей для снижения электромагнитных помех», авторы Антонов А.А., Карпович М.С., Пичугин И.В.

Сентябрь 2015:

Участие в работе Международной конференции «Микроэлектроника 2015» (г. Алушта) с докладом «СВЧ СБИС малогабаритного локатора малой дистанции», авторы Попов Ю.Н., Черепанов А.А.

Участие в работе 1-го международного семинара «Атомно-слоевое осаждение Россия 2015» (ALD Russia 2015, г. Москва) с приглашенным докладом “Ruthenium and Iridium thin film deposition: summary and issues”, автор Васильев В.Ю.

В журнале ВАК «Нано- и микросистемная техника» (2015, №9) опубликована статья «Разработка и верификация интегральной микросхемы драйвера «мягкой» коммутации силовых ключей для мощных источников электропитания», авторы Антонов А.А., Карпович М.С., Пичугин И.В., Васильев В.Ю.

В журнале ВАК «Вестник СибГУТИ» (2015, №3) опубликована статья «Разработка электростатической защиты элементов ввода-вывода интегральных микросхем, выполненных по субмикронной высоковольтной КМОП технологии», авторы Карпович М.С., Лысь В.Д.

Август 2015:

Ввод в эксплуатацию зондовой станции MPI150 (пр-во Тайвань)

Июль 2015:

3 аспиранта - сотрудника ООО «СибИС» приняли участие в работе международной конференции 2015 16th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM) (пос. Эрлагол, Горый Алтай) с публикацией докладов в трудах конференции

Приобретение нового оборудования: Анализатор спектра и сигналов от 2 Гц до 13,6 ГГц FSW13 Rohde & Schwarz

Июнь 2015:

Участие в III Международном форму технологического развития "ТЕХНОПРОМ" 4-5 июня 2015 года, г. Новосибирск, отраслевой диалог "Разработка и производство российскими предприятиями современных ЭКБ", генеральный директор Ю.Н. Попов.

В журнале ВАК «Электронная техника. Сер.1 СВЧ-техника» (2015, вып.2) опубликована статья «Модель СВЧ-локатора малой дальности и фиксированной дистанции», автор Дроздов А.А.

Май 2015:

В журнале “RSC Advances” (2015, vol.5, p.p.32034-32063) опубликована обзорная статья “Chemical Vapour Deposition of Ir-based coatings: chemistry, processes and applications” с участием от компании ООО «СибИС» в качестве соавтора Васильева В.Ю.

Апрель 2015:

В журнале ВАК «Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации» (2015, №1) опубликована статья «Оптимизация переменного конденсатора гребенчатого типа для микроэлектромеханического преобразователя энергии», соавтор Блум К.Е.

Март 2015:

В журнале ВАК «Электронная техника. Серия 1. Электронная техника. Сер.1 СВЧ-техника» (2015, вып.1) опубликована статья «Антенны двойной круговой поляризации СВЧ-локатора малой дистанции», автор Перов В.В.

Январь 2015:

В журнале “ECS Journal of Solid State Science and Technology” (2015, vol.4, no.1, p.p. N3164-N3167, DOI:10.1149/2.0241501jss) опубликована статья “Evaluation of Low Temperature TEOS-Ozone Silicon Dioxide Thin Film CVD under Sub-Atmospheric Pressure Using Consecutively Pulsed Reactant Injection”, автор Васильев В.Ю.