Статьи и публикации

Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть 3. Процессы атомно-слоевого осаждения

Васильев В.Ю. Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть  3. Процессы атомно-слоевого осаждения / Электронная техника. Серия 3. Микроэле
30.12.2020

Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть 2. Процессы химического осаждения из газовой фазы

Васильев В.Ю. Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть  2. Процессы химического осаждения из газовой фазы / Электронная техника. Серия 3. М
30.12.2019

Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть 1. Проблематика и методология оценки роста слоев на рельефах

Васильев В.Ю. Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть 1. Проблематика и методология оценки роста слоев на рельефах / Электронная техника.
30.07.2020

Атомно-слоевое осаждение тонких слоев нитрида кремния для микро- и наноэлектроники

Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких слоев нитрида кремния для микро- и наноэлектроники / Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2020, вып. 1 (177), С. 31-41. Выполнен обз
30.03.2020

Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 3. Процессы с азотсодержащими предшественниками

Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 3. Процессы с азотсодержащими предшественниками / Электронная техника. Серия 3. Микроэлек
30.03.2020

Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 2. Процессы с силанами, цианатами, хлорсиланами, кислородсодержащими реагентами

Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 2. Процессы с силанами, цианатами, хлорсиланами, кислородсодержащими реагентами / Электро
30.12.2019

Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 1. Постановка задач, методология осаждения пленок

Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 1. Постановка задач, методология осаждения пленок /  Электронная техника. Серия 3. М
30.12.2019

О методологии оценки конформности атомно-слоевого осаждения тонких пленок в высокоаспектных наноструктурах

Васильев В.Ю. О методологии оценки конформности атомно-слоевого осаждения тонких пленок в высокоаспектных наноструктурах / Наноиндустрия, 2019, №3-4, c.194-204. Рассмотрены проблемы и
11.07.2019

Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 8. Влияние водорода в пленках на их свойства

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 8. Влияние водорода в пленках на их свойства / Нано- и микросистемная техника, 201
27.06.2019

Считывающая электроника для СКВИД-магнетометров постоянного тока. Часть 3. Полупроводниковая криогенная электроника

Черепанов А.А., Новиков И.Л., Васильев В.Ю. Считывающая электроника для СКВИД-магнетометров постоянного тока. Часть 3. Полупроводниковая криогенная электроника / Нано- и микросистемная техника, 2019,
19.06.2019