Статьи и публикации

Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 5.

  В журнале "Нано- и микросистемная техника" (2018, №11) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники....
25.12.2018

Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 4.

   В журнале "Нано- и микросистемная техника" (2018, №10) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной те...
12.11.2018

Особенности разработки высокочастотных ИМС на примере МШУ для приемника ГЛОНАСС/GPS. Часть 1. Топологическая реализация кристалла ИМС

Особенности разработки высокочастотных ИМС на примере МШУ для приемника ГЛОНАСС/GPS. Часть 1. Топологическая реализация кристалла ИМС Техника радиосвязи, 2018, Вып. 3(38), С.91-100. А. А. Антонов, И...
16.10.2018

Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 3.

  В журнале "Нано- и микросистемная техника" (2018, №9) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники.&...
03.09.2018

Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 2.

  В журнале Нано- и микросистемная техника (2018, №6) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники.&nb...
29.06.2018

Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 1.

  В журнале Нано- и микросистемная техника (2018, №5) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники.&nb...
31.05.2018

Разработка интегральных микросхем по высоковольтным субмикронным технологиям для силовой электроники

В данной работе представлены результаты разработки и верификации «в кремнии» выполненных по различным высоковольтным субмикронным технологиям интегральных микросхем управления для силовой ...
20.10.2017

Integrated Low Noise Amplifiers for Cryogenic Applications

This paper is devoted to an analysis of modern cryogenic low noise amplifier designs in integrated implementation. An analytical comparison between two modern semiconductor technologies InP HEMT ...
20.10.2017

Wide Temperature Range Low Drop Output Units Realized with 250 nm 40 V BCD Technology

5 V and 12 V embedded low drop output (LDO) units are designed as parts of Multi-Functional Power Converter Control Integrated Circuits (MFPCC IC) and fabricated using 250 nm 40 V BCD (Bipolar, CMOS, ...
20.10.2017

Test submicron integrated circuit for wideband RF short-distance locator with noise modulation

Test submicron application specific Integrated Circuit (IC) for wideband RF short-distance locator is described. IC has been developed and manufactured using 130 nm silicon CMOS technology. Results of...
11.08.2016