В результате выполнения этапа 4 ПНИЭР «Разработка перспективных технологий и конструкций серии интегральных микросхем мультифункционального контроля и управления источниками вторичного электропитания энергоэффективных светодиодных систем» выполнены следующие работы:

  1. Разработаны программы и методики экспериментальных исследований ЭО ИМС МФКУ.
  2. Разработана технологическая документация на разработанную лабораторную технологию изготовления ЭО ИМС МФКУ в составе маршрутной и операционных карт.
  3. Разработаны и изготовлены контрольно-измерительные средства для экспериментальных исследований электрических характеристик ЭО ИМС МФКУ.
  4. Изготовлены экспериментальные образцы ИМС МФКУ по высоковольтной технологии BCD 250 нм.
  5. Проведены экспериментальные исследования ЭО ИМС МФКУ.

 

За счет внебюджетных средств проведены следующие работы по этапу:

  1. Разработаны методики измерений характеристик источников вторичного электропитания (ИВЭП).
  2. Разработан и изготовлен стенд для измерения характеристик ИВЭП.

Задачи этапа 4 выполнены в полном объеме.

Этап 4 сдан.


 

Для выполнения показателей по ПНИЭР в 2016 году:

1. Зарегистрированы ТИМС:

Схема управления источником вторичного электропитания, функционирующего в режиме постоянного тока

Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы "Схема управления источником вторичного электропитания, функционирующего в режиме постоянного тока". ...

Схема управления источником вторичного электропитания, функционирующего в режиме постоянного напряжения

Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы "Схема управления источником вторичного электропитания, функционирующего в режиме постоянного напряжения". ...

 

2. Сделаны 4 устных доклада на XVII Международной конференции EDM 2016, Эрлагол, Алтай, 30 июня - 4 июля 2016 г., с включением статей на английском языке в сборник трудов конференции:

Antonov A.A., Karpovich M.S., Pichugin I. V., Vasilyev V.Yu. Multi-Functional Control Integrated Circuits in 250 nm BCD Technology for High-Efficiency Power Converters // Proc. 2016 17th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices EDM, 2016 pp.411-416.

Karpovich M.S., Lys V.D., Vasilyev V.Yu. Electrostatic Discharge Protection in 250 nm BCD Technology for Multi-Functional Control Integrated Circuit for Power Converters // Proc. 2016 17th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices EDM, 2016, pp.456-461.

Ryzhkov  V.A. Karpovich M.S., Surin I.K., Vasilyev V.Yu. High-Voltage Low Drop Output Voltage Regulator with Output Current Fold-Back Protection in 250 nm BCD technology // Proc. of 17th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices EDM, 2016, pp.549-554.

Ryzhkov V.A., Antonov A.A., Karpovich M.S., Vasilyev V.Yu. Active Output Rectifier IC in 250 nm BCD Technology for High-Efficiency Power Converters // Proc. 2016 17th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices EDM, 2016, pp.611-616.