Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 4. Процессы в проточных реакторах с активацией плазмой высокой плотности

12.11.2018

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 4. Процессы в проточных реакторах с активацией плазмой высокой плотности / Нано- и микросистемная техника, 2018, Т. 20, №10, С. 585-595.

В части 4 обзора проанализировано состояние технологий получения низкотемпературных тонких пленок нитрида кремния для интегральных микросхем и микроэлектромеханических систем при плазменной активации в плазме высокой плотности (ПВП) в проточных реакторах плазмохимического осаждения из газовой фазы (ПХО). Использование реакторов ПХО с ПВП (реакторы с индуктивно-связанной плазмой, с СВЧ плазмой с использованием электронно-циклотронного резонанса) и газовых смесей SH₄-N₂ в сравнении с традиционными методами ПХО в реакторах с емкостно-связанной плазмой и смесями SH₄-NH₃-N₂ позволяет понизить температуры получения пленок, обеспечивает в них в разы меньший уровень концентрации водорода, большие плотности пленок и меньшие скорости их растворения в жидкостных травителях. Для улучшения конформности осаждения и формирования заполненных материалом зазоров в рельефе сложных структур используется сочетание процессов одновременного осаждения ПХО с ПВП и травления (распыления) осаждаемого тонкопленочного материала.

Скачать PDF

DOI: 10.17587.nmst.20.585-595.