Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 5. Плазмоактивированные процессы в реакторах циклического действия

25.12.2018

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 5. Плазмоактивированные процессы в реакторах циклического действия / Нано- и микросистемная техника, 2018, Т. 20, №11, С. 659-675.

В части 5 обзора проанализированы состояние и направления развития технологий получения тонких пленок нитрида кремния (ТПНК) для микроэлектронных и микросистемных приложений при плазменной активации исходных реагентов в реакторах циклического действия с последовательно-импульсным напуском исходных реагентов. Плазмоактивированное низкотемпературное атомно-слоевое осаждение (ПА-АСО) позволяет получать ТПНК при температурах ниже 500 °C из прекурсоров неорганической (силаны, хлорпроизводные силанов, амины) и органической природы для современных микро- и наноэлектронных технологий. Характеристики покрытий отвечают требованиям по составу и свойствам, в частности, ТПНК имеют низкие скорости растворения в жидкостных травителях на основе фтористоводородной кислоты. Конформность роста покрытий при ПА-АСО значительно превышает таковую для процессов получения ТПНК в проточных плазменных реакторах.

Скачать PDF

DOI: 10.17587/nmst.20.659-675