Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 2. Термически активированные процессы в реакторах циклического действия

29.06.2018

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 2. Термически активированные процессы в реакторах циклического действия / Нано- и микросистемная техника, 2018, Т. 20, №6, С. 329-339.

В части 2 обзора рассмотрены состояние и направления развития технологий получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектронных и микросистемных приложений при термической активации исходных реагентов в реакторах циклического действия с последовательно-импульсным напуском исходных реагентов. Рассмотрены результаты исследований возможностей реализации режима атомно-слоевого осаждения (АСО) при 300...650 °С и использовании промышленных реагентов SiCl₄, SiH₂Cl₂, а также олигомеров (Si₂Cl₆, Si₃Cl₈). Выделены работы, в которых режим АСО наиболее вероятен; в остальных работах рост пленок протекает по механизмам химического осаждения с участием поверхности подложки. При температуре менее 500 °С пленки нестехиометричны и обогащены кремнием, содержат много кислорода, а также примеси водорода и хлора. Достигнутая конформность пленок на структурах с аспектным отношением 60 составила <80 %. 

Скачать PDF

DOI: 10.17587/nmst.20.329-339