Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 1. Термически активированные процессы в проточных реакторах

31.05.2018

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 1. Термически активированные процессы в проточных реакторах / Нано- и микросистемная техника, 2018, Т. 20, №5, С. 287-296.

В части 1 обзора проанализированы состояние и направления развития технологий получения стехиометрических тонких пленок нитрида кремния (С-ТПНК) для интегральных микросхем (ИМС) и микроэлектромеханических систем (МЭМС). Рассмотрены промышленные процессы при термической активации SiH₄, SiCl₄, SiH₂Cl₂ и газообразного аммиака в проточных реакторах для химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), а также направления их модификаций. Снижение температуры и давления при ХОГФ позволяет улучшить конформность С-ТПНК на трехмерных (3D) структурах устройств ИМС и МЭМС. Обогащение пленок кремнием позволяет получать пленки с уменьшенными механическими напряжениями для применений в МЭМС. Проанализированы некоторые примеры новых реагентов на основе кремния для ХОГФ (Si₂Cl₆), новые конструкции реакторов. Рассмотренные направления не обнаружили перспектив принципиального улучшения конформности тонких пленок для сложных 3D-структур.

Скачать PDF

 DOI: 10.17587/nmst.20.287-296