Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 6. Каталитическое осаждение в проточных реакторах

14.02.2019

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 6. Каталитическое осаждение в проточных реакторах / Нано- и микросистемная техника, 2019, Т. 21, №1, С. 3-13.

В части 6 обзора проанализированы состояние и направления развития технологий получения низкотемпературных тонких пленок нитрида кремния для микроэлектронных и микросистемных приложений при каталитической активации "горячей нитью" исходных реагентов в реакторах проточного типа. Рассмотрены результаты исследований, особенности и преимущества каталитического химического осаждения из газовой фазы. Преимуществами являются возможность получения тонких пленок с широким диапазоном составов, в том числе близким к стехиометрии и с низким содержанием водорода; возможность использования низких температур осаждения для подложек разнообразной формы и размеров, в том числе гибких подложек; высокая эффективность использования исходных реагентов (в основном моносилана и аммиака). Недостатком процессов каталитического химического осаждения из газовой фазы является плохая конформность осаждения тонких пленок.

Скачать PDF

DOI: 10.17587/nmst.21.3-13