Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 7. Обобщение информации по методам осаждения и особенностям пленок

18.04.2019

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 7. Обобщение информации по методам осаждения и особенностям пленок / Нано- и микросистемная техника, 2019, Т. 21, №3, С. 131-142.

В части 7 проведено обобщение совокупности экспериментальных данных для шести основных методов получения тонких пленок нитрида кремния (ТПНК), проанализированных в частях 1—6 настоящей работы. Результаты обобщения приведены в виде температурных областей типичных диапазонов изменения скоростей осаждения, состава (отношения Si/N и концентрации водорода), плотности и механических напряжений ТПНК для каждого метода. Приведенные обобщенные результаты позволяют наглядно сравнивать основные характеристики процессов осаждения и параметры ТПНК, а также проводить оценку применимости рассмотренных методов получения ТПНК для решения конкретных задач микроэлектронных и МЭМС-технологий. Ключевые слова: нитрид кремния, тонкие пленки, обобщение характеристик методов получения, интегральные микросхемы, микросистемная техника.

Скачать PDF 

DOI: 10.17587/nmst.21.131-142