Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 8. Влияние водорода в пленках на их свойства

27.06.2019

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 8. Влияние водорода в пленках на их свойства / Нано- и микросистемная техника, 2019, Т. 21, №6, С. 352-367.

Рассмотрено влияние водорода в составе тонких пленок нитрида кремния (ТПНК) на их свойства. Приведены количественные температурные зависимости концентрации водорода с концентрациями в ТПНК от 5 до 40 ат. % в зависимости от метода получения. Проанализированы данные о влиянии последующих за получением ТПНК термических обработок при длительном и быстром термических отжигах на концентрацию водорода и основные свойства ТПНК. Рассмотрены технологические подходы по управлению концентрацией водорода в пленках, получаемых методом плазмохимического осаждения с участием моносилана, аммиака и азота при низких температурах. При термообработках выделение молекулярного водорода из таких пленок происходит в интервале 400...800 °С как в окружающую среду, так и в нижележащие материалы. С понижением содержания водорода в ТПНК начало его выделения происходит при более высоких температурах. Термообработки ТПНК приводят к изменениям структуры и физико-химических свойств пленок, в том числе показателя преломления и плотности пленок, скорости растворения в жидкостных травителях.

Скачать PDF

DOI: 10.17587/nmst.21.352-367