Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 1. Постановка задач, методология осаждения пленок

30.12.2019

Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 1. Постановка задач, методология осаждения пленок /  Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2019, вып. 4 (176), С. 45-53.

Выполнен обзор информационных источников с глубиной поиска 25 лет по результатам исследований процессов атомно-слоевого осаждения тонких пленок диоксида кремния, применяемого в микро- и наноэлектронных технологиях. В первой части работы рассматриваются общие вопросы атомно-слоевого осаждения, аппаратурные и методические вопросы получения тонких пленок диоксида кремния в реакторах циклического действия.

Скачать PDF