Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 1.
23.03.2020

Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 1. Постановка задач, методология осаждения пленок

В.Ю. Васильев

Выполнен обзор информационных источников с глубиной поиска 25 лет по результатам исследований процессов атомно-слоевого осаждения тонких пленок диоксида кремния, применяемого в микро- и наноэлектронных технологиях. В первой части работы рассматриваются общие вопросы атомно-слоевого осаждения, аппаратурные и методические вопросы получения тонких пленок диоксида кремния в реакторах циклического действия.

ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON DIOXIDE THIN FILMS FOR MICRO- AND NANOELECTRONICS. Part 1. Tasks, methodology for film deposition

V.Yu. Vasilyev

A 25-years depth review on the empirical results of the atomic layer deposition (ALD) of silicon dioxide thin films used in micro- and nanoelectronics technologies. First part of the review deals with common ALD features, tools and methodology aspects regarding silicon dioxide thin film deposition in the cycle type of deposition reactors.

 

Скачать PDF