Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 2. Процессы с силанами, цианатами, хлорсиланами, кислородсодержащими реагентами
30.12.2019
Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 2. Процессы с силанами, цианатами, хлорсиланами, кислородсодержащими реагентами / Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2019, вып. 4 (176), С. 54-64.
Рассмотрены результаты экспериментальных исследований процессов атомно-слоевого осаждения (АСО) тонких пленок диоксида кремния (ТПДК) с термической и плазменной активацией с использованием в качестве реагентов-предшественников производных силана, цианатов, хлорсиланов, кислородсодержащих реагентов. Общим недостатком рассмотренных процессов является необходимость использования для достижения приемлемых скоростей наращивания ТПДК больших доз (длительностей экспозиции) исходных реагентов, неприемлемых для технологий АСО массового производства.
Скачать PDF