Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 2
23.03.2020

Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 2. Процессы с силанами, цианатами, хлорсиланами, кислородсодержащими реагентами.

В.Ю. Васильев

Рассмотрены результаты экспериментальных исследований процессов атомно-слоевого осаждения (АСО) тонких пленок диоксида кремния (ТПДК) с термической и плазменной активацией с использованием в качестве реагентов-предшественников производных силана, цианатов, хлорсиланов, кислородсодержащих реагентов. Общим недостатком рассмотренных процессов является необходимость использования для достижения приемлемых скоростей наращивания ТПДК больших доз (длительностей экспозиции) исходных реагентов, неприемлемых для технологий АСО массового производства.

ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON DIOXIDE THIN FILMS FOR MICRO- AND NANOELECTRONICS. Part 2. Deposition with silanes, cyanates, chlorosilanes, oxygen-contained precursors

V.Yu. Vasilyev

The second part of the review contains the analysis of development of the technologies for obtaining of silicon dioxide thin films during atomic layer deposition (ALD) with the use of silanes, cyanates, chlorosilanes, oxygen-contained precursors. The common disadvantage of analyzed ALD processes is very high doses of precursors need to be used for obtaining reasonable deposition rates that is not applicable for serial production ALD technologies.

Скачать PDF