Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 3. Процессы с азотсодержащими предшественниками
30.03.2020
Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 3. Процессы с азотсодержащими предшественниками / Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2020, вып. 1 (177), С. 19-30.
В третьей части обзора проанализированы процессы атомно-слоевого осаждения тонких пленок диоксида кремния с использованием азотсодержащих реагентов-предшественников с термической плазменной активацией. Обсуждаются схемы роста, состав и свойства слоев, проблемы характеризации и перспективы промышленного применения процессов.
Скачать PDF
DOI: 10.7868/S2410993220010030