Атомно-слоевое осаждение тонких слоев нитрида кремния для микро- и наноэлектроники
30.03.2020
Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких слоев нитрида кремния для микро- и наноэлектроники / Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2020, вып. 1 (177), С. 31-41.
Выполнен обзор информационных источников с глубиной поиска 25 лет по результатам экспериментальных исследований процессов атомно-слоевого осаждения тонких слоев нитрида кремния с термической и плазменной активацией для применения в современных микро- и наноэлектронных технологиях.
Cкачать PDF
DOI: 10.7868/S2410993220010042