Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 4. Температурные зависимости скоростей осаждения и плотности пленок

26.10.2021

Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 4. Температурные зависимости скоростей осаждения и плотности пленок. / Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2021, вып. 1 (181), С. 18-26.

В четвертой части обзора проанализированы данные по температурным зависимостям скоростей роста и плотности тонких пленок диоксида кремния (ТПДК) при атомно-слоевом осаждении с  термической и плазменной активацией (ТА-АСО и ПА-АСО) и использованием различных реагентов-предшественников. Выделены характерные температурные диапазоны, в которых наблюдаются принципиальные отличия ростовых характеристик при ПА-АСО и ТА-АСО, а также плотности ТПДК.

Скачать PDF

DOI: 10.7868/S2410993221010036