Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 5. Особенности роста пленок в соответствии с моделями гидроксила на кремнеземе
26.10.2021
Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 5. Особенности роста пленок в соответствии с моделями гидроксила на кремнеземе. / Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2021, вып. 2 (182), С. 10-16.
В пятой части обзора проанализированы модели поверхностного гидроксила на кремнеземе с целью оценки их применимости для качественного объяснения выделенных температурных зависимостей роста и плотности ТПДК при их получении методами АСО.
Скачать PDF
DOI: 10.7868/S2410993221020020