Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 3. Закономерности роста слоев в промышленных реакторах

24.11.2011

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 3. Закономерности роста слоев в промышленных реакторах / Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, 2011, Вып. 2 (227), с. 24-36.

В третьей части работы рассмотрены методологические подходы и обобщены основные экспериментально обнаруженные закономерности роста кремнийсодержащих слоёв, применяемых при изготовлении интегральных микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Работа написана на основе отечественного и зарубежного личного практического опыта и публикаций автора в области химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы в наиболее используемых в микроэлектронной технологии промышленных реакторах, а также литературных источников за последние 25 пет.

Скачать PDF