Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 4. Обобщенная методология анализа закономерностей процессов роста тонких слоев

17.02.2012

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 4. Обобщенная методология анализа закономерностей процессов роста тонких слоев / Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, 2012, Вып. 1 (228),  с. 3-18.

В четвёртой части работы рассмотрена обобщённая методика анализа закономерностей процессов роста кремнийсодержащих слоёв, применяемых при изготовлении интегральных микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. За основу взяты отечественный и зарубежный личный практический опыт работы и публикации автора в области химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы, а также литературные источники за последние 25 лет.

Скачать PDF