Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 5. Схемы роста и корреляция закономерностей осаждения и свойств тонких слоев

14.06.2012

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 5. Схемы роста и корреляция закономерностей осаждения и свойств тонких слоев / Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 2012, Вып. 2 (229), с. 54-69.

Рассмотрены схемы роста тонких слоёв из газовой фазы, развернутая классификация процессов осаждения и корреляция закономерностей осаждения и свойств кремнийсодержащих слоёв, применяемых при изготовлении интегральных микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. За основу взяты отечественный и зарубежный личный практический опыт работы и публикации автора в области химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы в наиболее использованных в микроэлектронной промышленности реакторах, а также литературные источники за последние 25 лет.

 Скачать PDF