Низкотемпературное осаждение из газовой фазы при субатмосферном давлении слоев диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральных микросхемах. Часть 2.

20.03.2014

Васильев В.Ю. Низкотемпературное осаждение из газовой фазы при субатмосферном давлении слоев диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральных микросхемах. Часть 2. Исследование роста слоев в условиях непрерывного напуска реагентов / Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, 2014, Вып.1 (232), с.49-58.

Рассмотрены результаты исследований и разработки процессов низкотемпературного осаждения из газовой фазы при субатмосферном давлении слоёв диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральных микросхемах. В первой части работы выполнен литературный обзор состояния исследований, технологических проблем, направлений и задач исследования. Во второй части работы изложены результаты экспериментальных исследований закономерностей роста слоёв диоксида кремния в условиях непрерывной подачи парогазовой смеси в реактор на промышленной установке Precision-5000 и подложках диаметром 200 мм с разными нанесёнными на поверхность диэлектрическими слоями. Охарактеризованы процессы роста слоёв, эффект "поверхностной чувствительности" к материалам подложки, а также рост слоёв на ступенчатых поверхностях интегральных микросхем.

Скачать PDF