Статьи и публикации
Особенности разработки высокочастотных ИМС на примере МШУ для приемника ГЛОНАСС/GPS. Часть 1. Топологическая реализация кристалла ИМС
Особенности разработки высокочастотных ИМС на примере МШУ для приемника ГЛОНАСС/GPS. Часть 1. Топологическая реализация кристалла ИМС
Техника радиосвязи, 2018, Вып. 3(38), С.91-100.
А. А. Антонов, И...
Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 3.
В журнале "Нано- и микросистемная техника" (2018, №9) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники.&...
Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 2.
В журнале Нано- и микросистемная техника (2018, №6) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники.&nb...
Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 1.
В журнале Нано- и микросистемная техника (2018, №5) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники.&nb...
Разработка интегральных микросхем по высоковольтным субмикронным технологиям для силовой электроники
В данной работе представлены результаты разработки и верификации «в кремнии» выполненных по различным высоковольтным субмикронным технологиям интегральных микросхем управления для силовой ...
Integrated Low Noise Amplifiers for Cryogenic Applications
This paper is devoted to an analysis of modern cryogenic low noise amplifier designs in integrated implementation. An analytical comparison between two modern semiconductor technologies InP HEMT ...
Wide Temperature Range Low Drop Output Units Realized with 250 nm 40 V BCD Technology
5 V and 12 V embedded low drop output (LDO) units are designed as parts of Multi-Functional Power Converter Control Integrated Circuits (MFPCC IC) and fabricated using 250 nm 40 V BCD (Bipolar, CMOS, ...
Test submicron integrated circuit for wideband RF short-distance locator with noise modulation
Test submicron application specific Integrated Circuit (IC) for wideband RF short-distance locator is described. IC has been developed and manufactured using 130 nm silicon CMOS technology. Results of...
Model of wideband RF short-distance locator
This paper describes a full-scale model of wideband RF short-distance locator dedicated for high-speed objects detection at short distance. This compact model has been designed using discrete componen...
Dynamic behavior of MEMS variable capacitor for autonomous biometric sensors
The influence of spring element profile obtained by deep reactive ion etching on dynamic behavior of MEMS variable capacitor for electrostatic vibration energy harvester is studied. It is found that t...