Статьи и публикации

Считывающая электроника для СКВИД-магнетометров постоянного тока. Часть 2. Системы считывания и их ограничения

Черепанов А.А., Новиков И.Л., Васильев В.Ю. Считывающая электроника для СКВИД-магнетометров постоянного тока. Часть 2. Системы считывания и их ограничения / Нано- и микросистемная техника, 2019,
30.04.2019

Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 7. Обобщение информации по методам осаждения и особенностям пленок

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 7. Обобщение информации по методам осаждения и особенностям пленок / Нан
18.04.2019

Особенности разработки высокочастотных ИМС на примере МШУ для приемника ГЛОНАСС/GPS. Часть 2. Интерфейс "кристалл ИМС - печатная плата

Антонов А.А., Сурин И.К., Шлёмин Д.Л., Гордиенко С.М., Сафонов В.Д. Особенности разработки высокочастотных ИМС на примере МШУ для приемника ГЛОНАСС/GPS. Часть 2. Интерфейс "кристалл ИМС - печатная пла
27.02.2019

Считывающая электроника для СКВИД-магнетометров постоянного тока. Часть 1. Магнитометры постоянного тока и их ограничения

Черепанов А.А., Новиков И.Л., Васильев В.Ю. Считывающая электроника для СКВИД-магнетометров постоянного тока. Часть 1. Магнитометры постоянного тока и их ограничения / Нано- и микросистемная техн
14.02.2019

Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 6. Каталитическое осаждение в проточных реакторах

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 6. Каталитическое осаждение в проточных реакторах / Нано- и микросистемная техника
14.02.2019

Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 5. Плазмоактивированные процессы в реакторах циклического действия

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 5. Плазмоактивированные процессы в реакторах циклического действия / Нано- и микро
25.12.2018

Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 4. Процессы в проточных реакторах с активацией плазмой высокой плотности

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 4. Процессы в проточных реакторах с активацией плазмой высокой плотности / Нано- и
12.11.2018

Особенности разработки высокочастотных ИМС на примере МШУ для приемника ГЛОНАСС/GPS. Часть 1. Топологическая реализация кристалла ИМС

Антонов А.А., Сурин И.К., Шлёмин Д.Л., Гордиенко С.М., Сафонов В.Д.Особенности разработки высокочастотных ИМС на примере МШУ для приемника ГЛОНАСС/GPS. Часть 1. Топологическая реализация кристалла ИМС
16.10.2018

Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 3. Плазмоактивированные процессы в проточных реакторах

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 3. Плазмоактивированные процессы в проточных реакторах / Нано- и микросистемн
03.09.2018

Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 2. Термически активированные процессы в реакторах циклического действия

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 2. Термически активированные процессы в реакторах циклического действия / Нан
29.06.2018