Статьи и публикации
Power-On Reset Circuit in 180-nm CMOS with Brownout Detection, Stable Switching Points, Long Reset Pulse duration, and Resilience to Switching Noise
IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems ( Volume: 30, Issue 10, October 2022, p. 1373-1380).
Abstract. Based on a review of presented power-on reset (POR) inte
Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 5. Особенности роста пленок в соответствии с моделями гидроксила на кремнеземе
Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 5. Особенности роста пленок в соответствии с моделями гидроксила на кремнеземе. / Электро
Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 4. Температурные зависимости скоростей осаждения и плотности пленок
Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 4. Температурные зависимости скоростей осаждения и плотности пленок. / Электронная техник
Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть 3. Процессы атомно-слоевого осаждения
Васильев В.Ю. Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть 3. Процессы атомно-слоевого осаждения / Электронная техника. Серия 3. Микроэле
Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть 2. Процессы химического осаждения из газовой фазы
Васильев В.Ю. Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть 2. Процессы химического осаждения из газовой фазы / Электронная техника. Серия 3. М
Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть 1. Проблематика и методология оценки роста слоев на рельефах
Васильев В.Ю. Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть 1. Проблематика и методология оценки роста слоев на рельефах / Электронная техника.
Атомно-слоевое осаждение тонких слоев нитрида кремния для микро- и наноэлектроники
Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких слоев нитрида кремния для микро- и наноэлектроники / Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2020, вып. 1 (177), С. 31-41.
Выполнен обз
Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 3. Процессы с азотсодержащими предшественниками
Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 3. Процессы с азотсодержащими предшественниками / Электронная техника. Серия 3. Микроэлек
Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 2. Процессы с силанами, цианатами, хлорсиланами, кислородсодержащими реагентами
Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 2. Процессы с силанами, цианатами, хлорсиланами, кислородсодержащими реагентами / Электро
Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 1. Постановка задач, методология осаждения пленок
Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 1. Постановка задач, методология осаждения пленок / Электронная техника. Серия 3. М