Статьи и публикации

Моделирование влияния конструктивно-технологических параметров на характеристики кремниевых резонансных сенсоров давления

Рассмотрены вариационный и конечно-элементный методы расчета частотных характеристик резонансных сенсоров давления (РСД). В результате моделирования установлено существенное влияние двугранных углов в...
14.02.2012

Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм (Часть 3)

В третьей части работы рассмотрены методологические подходы и обобщены основные экспериментально обнаруженные закономерности роста кремнийсодержащих слоёв, применяемых при изготовлении интегральных ми...
24.11.2011

Проектирование сложно-функциональных блоков смешанного сигнала на основе субмикронной технологии на примере микросхемы видеодекодера (Часть 2)

Спроектирован и изготовлен в виде отдельной кремниевой твердотельной интегральной микросхемы сложнофункциональный блок мультистандартного PAL/NTSC видеодекодера класса «микросхема смешанного сиг...
14.09.2011

Проектирование сложно-функциональных блоков смешанного сигнала на основе субмикронной технологии на примере микросхемы видеодекодера (Часть 1)

Спроектирован и изготовлен в виде отдельной кремниевой твёрдотельной интегральной микросхемы сложнофункциональный блок мультистандартного PAL/NTSC видеодекодера класса «микросхема смешанного сиг...
15.06.2011

Проектирование сложно-функционального блока видеодекодера для субмикронных интегральных микросхем типа система на кристалле

Спроектирован и изготовлен в виде отдельной кремниевой интегральной микросхемы сложнофункциональный блок мультистандартного PAL/NTSC видеодекодера класса "микросхема смешанного сигнала", включающий бл...
14.01.2011

Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм (Часть 2)

Во второй части работы выполнен анализ конструкционных особенностей аппаратуры и методики химического осаждения из газовой фазы тонкослойных неорганических кремнийсодержащих материалов, применяемых пр...
15.08.2011

Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. (Часть 1)

Проанализирована совокупность различных аспектов применения методов химического осаждения тонкослойных неорганических кремнийсодержащих материалов (поликристаллический кремний, нитрид кремния, диоксид...
14.03.2010