Статьи и публикации
Низкотемпературное осаждение из газовой фазы при субатмосферном давлении слоев диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральных микросхемах (Часть 1)
Рассмотрены результаты исследований и разработки процессов низкотемпературного осаждения из газовой фазы при субатмосферном давлении слоёв диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кис...
Влияние термических деформаций на температурную стабильность характеристик кремниевых резонансных сенсоров давления»
Simulation results of thermal strain influence on the frequency characteristics of the resonant pressure sensor (RTS) have been presented. A strong dependence of resonance frequency temperature sensit...
Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. (Часть 5)
Рассмотрены схемы роста тонких слоёв из газовой фазы, развернутая классификация процессов осаждения и корреляция закономерностей осаждения и свойств кремнийсодержащих слоёв, применяемых при изготовлен...
Источник вторичного электропитания для радиоэлектронной аппаратуры, выполненный по технологии «мягкой коммутации» ключей
Рассмотрены результаты разработки, практической реализации и исследования электрических характеристик макета источника питания модульного типа мощностью 1500 Вт, напряжением 27 В с использованием техн...
Особенности проектирования топологии дифференциальных пар и токовых зеркал базовых сложно функциональных блоков субмикронных интегральных микросхем типа «система-на-кристалле»
Рассмотрены основные причины рассогласования элементов в дифференциальных парах и токовых зеркалах при проектировании сложнофункциональных (СФ) блоков цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразовате...
Особенности проектирования сложно-функционального блока 14-разрядного цифро-аналогового преобразователя субмикронной интегральной микросхемы типа «система на кристалле»
Рассмотрены основные причины влияния технологических разбросов на характеристики цифро-аналоговых преобразователей (ЦАП) при проектировании по технологии КМОП с проектно-технологическими нормами 0.18 ...
Дифференциальный КМОП малошумящий усилитель для DRM совместимого радио тюнера
Рассмотрен дифференциальный КМОП малошумящий усилитель для DRМ (Digital Radio Mondiale) совместимого радио тюнера, спроектированный по стандартной радиочастотной субмикронной КМОП технологии c тополог...
Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. (Часть 4)
В четвёртой части работы рассмотрена обобщённая методика анализа закономерностей процессов роста кремнийсодержащих слоёв, применяемых при изготовлении интегральных микросхем с технологическими нормами...
Моделирование влияния конструктивно-технологических параметров на характеристики кремниевых резонансных сенсоров давления
Рассмотрены вариационный и конечно-элементный методы расчета частотных характеристик резонансных сенсоров давления (РСД). В результате моделирования установлено существенное влияние двугранных углов в...
Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм (Часть 3)
В третьей части работы рассмотрены методологические подходы и обобщены основные экспериментально обнаруженные закономерности роста кремнийсодержащих слоёв, применяемых при изготовлении интегральных ми...