Статьи и публикации
Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. (Часть 4)
В четвёртой части работы рассмотрена обобщённая методика анализа закономерностей процессов роста кремнийсодержащих слоёв, применяемых при изготовлении интегральных микросхем с технологическими нормами...
Моделирование влияния конструктивно-технологических параметров на характеристики кремниевых резонансных сенсоров давления
Рассмотрены вариационный и конечно-элементный методы расчета частотных характеристик резонансных сенсоров давления (РСД). В результате моделирования установлено существенное влияние двугранных углов в...
Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм (Часть 3)
В третьей части работы рассмотрены методологические подходы и обобщены основные экспериментально обнаруженные закономерности роста кремнийсодержащих слоёв, применяемых при изготовлении интегральных ми...
Проектирование сложно-функциональных блоков смешанного сигнала на основе субмикронной технологии на примере микросхемы видеодекодера (Часть 2)
Спроектирован и изготовлен в виде отдельной кремниевой твердотельной интегральной микросхемы сложнофункциональный блок мультистандартного PAL/NTSC видеодекодера класса «микросхема смешанного сиг...
Проектирование сложно-функциональных блоков смешанного сигнала на основе субмикронной технологии на примере микросхемы видеодекодера (Часть 1)
Спроектирован и изготовлен в виде отдельной кремниевой твёрдотельной интегральной микросхемы сложнофункциональный блок мультистандартного PAL/NTSC видеодекодера класса «микросхема смешанного сиг...
Проектирование сложно-функционального блока видеодекодера для субмикронных интегральных микросхем типа система на кристалле
Спроектирован и изготовлен в виде отдельной кремниевой интегральной микросхемы сложнофункциональный блок мультистандартного PAL/NTSC видеодекодера класса "микросхема смешанного сигнала", включающий бл...
Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм (Часть 2)
Во второй части работы выполнен анализ конструкционных особенностей аппаратуры и методики химического осаждения из газовой фазы тонкослойных неорганических кремнийсодержащих материалов, применяемых пр...
Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. (Часть 1)
Проанализирована совокупность различных аспектов применения методов химического осаждения тонкослойных неорганических кремнийсодержащих материалов (поликристаллический кремний, нитрид кремния, диоксид...