Статьи и публикации
Моделирование влияния конструктивно-технологических параметров на характеристики кремниевых резонансных сенсоров давления
Гридчин В.А., Чебанов М. А., Васильев В.Ю. Моделирование влияния конструктивно-технологических параметров на характеристики кремниевых резонансных сенсоров давления / Известия вузов. Электроника, 2012
Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 3. Закономерности роста слоев в промышленных реакторах
Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 3. Закономерности роста слоев в промышленных реакторах
Проектирование сложно-функциональных блоков смешанного сигнала на основе субмикронной технологии на примере микросхемы видеодекодера. Часть 2. Верификация микросхемы "на кремнии"
Хабаров П.С., Шлемин Д.Л., Лысь В.Д., Лебедев Ю.П., Васильев В.Ю., Попов Ю.Н. Проектирование сложно-функциональных блоков смешанного сигнала на основе субмикронной технологии на примере микросхемы вид
Проектирование сложно-функциональных блоков смешанного сигнала на основе субмикронной технологии на примере микросхемы видеодекодера. Часть 1. Конструкция и топология микросхемы
Хабаров П.С., Шлемин Д.Л., Лысь В.Д., Лебедев Ю.П., Васильев В.Ю., Попов Ю.Н. Проектирование сложно-функциональных блоков смешанного сигнала на основе субмикронной технологии на примере микросхемы вид
Проектирование сложно-функционального блока видеодекодера для субмикронных интегральных микросхем типа система на кристалле
Хабаров П.С., Шлемин Д.Л., Лысь В.Д., Лебедев Ю.П., Васильев В.Ю., Попов Ю.Н., Чепин Ю.Н. Проектирование сложно-функционального блока видеодекодера для субмикронных интегральных микросхем типа система
Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 2. Аппаратура и методология осаждения слоёв
Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 2. Аппаратура и методология осаждения слоёв / Электрон
Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 1. Основные тенденции развития методов
Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 1. Основные тенденции развития методов / Электронная т