Статьи и публикации

Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей (Часть 4)

Целью работы является разработка источников вторичного электропитания мощностью 2000 Вт, реализующих технологию «мягкой коммутации» Zero Voltage Switch (ZVS). Работа состоит из нескольких ...
15.11.2013

Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей (Часть 5)

Целью работы является разработка источников вторичного электропитания мощностью 2000 Вт и выше, реализующих технологию «мягкой» коммутации при нуле или близком к нулю напряжении на ключе (...
15.03.2014

Низкотемпературное осаждение из газовой фазы при субатмосферном давлении слоев диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральных микросхемах (Часть 1)

Рассмотрены результаты исследований и разработки процессов низкотемпературного осаждения из газовой фазы при субатмосферном давлении слоёв диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кис...
10.02.2013

Влияние термических деформаций на температурную стабильность характеристик кремниевых резонансных сенсоров давления»

Simulation results of thermal strain influence on the frequency characteristics of the resonant pressure sensor (RTS) have been presented. A strong dependence of resonance frequency temperature sensit...
22.03.2013

Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. (Часть 5)

Рассмотрены схемы роста тонких слоёв из газовой фазы, развернутая классификация процессов осаждения и корреляция закономерностей осаждения и свойств кремнийсодержащих слоёв, применяемых при изготовлен...
14.06.2012

Источник вторичного электропитания для радиоэлектронной аппаратуры, выполненный по технологии «мягкой коммутации» ключей

Рассмотрены результаты разработки, практической реализации и исследования электрических характеристик макета источника питания модульного типа мощностью 1500 Вт, напряжением 27 В с использованием техн...
25.11.2012

Особенности проектирования топологии дифференциальных пар и токовых зеркал базовых сложно функциональных блоков субмикронных интегральных микросхем типа «система-на-кристалле»

Рассмотрены основные причины рассогласования элементов в дифференциальных парах и токовых зеркалах при проектировании сложнофункциональных (СФ) блоков цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразовате...
25.09.2012

Особенности проектирования сложно-функционального блока 14-разрядного цифро-аналогового преобразователя субмикронной интегральной микросхемы типа «система на кристалле»

Рассмотрены основные причины влияния технологических разбросов на характеристики цифро-аналоговых преобразователей (ЦАП) при проектировании по технологии КМОП с проектно-технологическими нормами 0.18 ...
14.06.2012

Дифференциальный КМОП малошумящий усилитель для DRM совместимого радио тюнера

Рассмотрен дифференциальный КМОП малошумящий усилитель для DRМ (Digital Radio Mondiale) совместимого радио тюнера, спроектированный по стандартной радиочастотной субмикронной КМОП технологии c тополог...
14.06.2012

Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. (Часть 4)

В четвёртой части работы рассмотрена обобщённая методика анализа закономерностей процессов роста кремнийсодержащих слоёв, применяемых при изготовлении интегральных микросхем с технологическими нормами...
17.02.2012