Статьи и публикации
Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей. Часть 1. Анализ информационных материалов и образцов источников питания
Васильев В.Ю., Козляев Ю.Д., Пичугин И.В., Семенов Ю.Е., Гордиенко С.М., Антонов А.А. Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» ко
Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей. Часть 2. Анализ схемотехнических решений источников питания модульного типа
Васильев В.Ю., Антонов А.А., Пичугин И.В., Гордиенко С.М. Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей. Часть 2. Ан
Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей. Часть 3. Разработка макета силового модуля источника питания
Васильев В.Ю., Марков А.В., Антонов А.А., Пичугин И.В. Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей. Часть 3. Разра
Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей. Часть 4. Преобразователь постоянного напряжения с формированием тока в звене инвертора
Васильев В.Ю., Козляев Ю.Д., Семенов Ю.Е., Антонов А.А., Пичугин И.В. Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей.
Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей. Часть 5. Исследование макета преобразователя постоянного напряжения
Васильев В.Ю., Антонов А.А., Пичугин И.В., Козляев Ю.Д., Семенов Ю.Е. Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей.
Низкотемпературное осаждение из газовой фазы при субатмосферном давлении слоев диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральных микросхемах. Часть 1
Васильев В.Ю. Низкотемпературное осаждение из газовой фазы при субатмосферном давлении слоев диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральн
Влияние термических деформаций на температурную стабильность характеристик кремниевых резонансных сенсоров давления»
Гридчин В.А., Чебанов М.А., Васильев В.Ю. Влияние термических деформаций на температурную стабильность характеристик кремниевых резонансных сенсоров давления / Нано- и микросистемная техника, 2013, Вы
Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 5. Схемы роста и корреляция закономерностей осаждения и свойств тонких слоев
Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 5. Схемы роста и корреляция закономерностей осаждения
Источник вторичного электропитания для радиоэлектронной аппаратуры, выполненный по технологии «мягкой коммутации» ключей
Васильев В.Ю., Пичугин И.В., Козляев Ю.Д., Семенов Ю.Е., Гордиенко С.М., Фомин В.В. Источник вторичного электропитания для радиоэлектронной аппаратуры, выполненный по технологии «мягкой коммутац
Особенности проектирования топологии дифференциальных пар и токовых зеркал базовых сложно функциональных блоков субмикронных интегральных микросхем типа «система-на-кристалле»
Карпович М.С., Лебедев Ю.П. Особенности проектирования топологии дифференциальных пар и токовых зеркал базовых сложно функциональных блоков субмикронных интегральных микросхем типа «система-на-к