Статьи и публикации

Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей. Часть 4. Преобразователь постоянного напряжения с формированием тока в звене инвертора

Васильев В.Ю., Козляев Ю.Д., Семенов Ю.Е., Антонов А.А., Пичугин И.В. Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей.
15.11.2013

Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей. Часть 5. Исследование макета преобразователя постоянного напряжения

Васильев В.Ю., Антонов А.А., Пичугин И.В., Козляев Ю.Д., Семенов Ю.Е. Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей.
15.03.2014

Низкотемпературное осаждение из газовой фазы при субатмосферном давлении слоев диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральных микросхемах. Часть 1

Васильев В.Ю. Низкотемпературное осаждение из газовой фазы при субатмосферном давлении слоев диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральн
10.02.2013

Влияние термических деформаций на температурную стабильность характеристик кремниевых резонансных сенсоров давления»

Гридчин В.А., Чебанов М.А., Васильев В.Ю. Влияние термических деформаций на температурную стабильность характеристик кремниевых резонансных сенсоров давления / Нано- и микросистемная техника, 2013, Вы
22.03.2013

Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 5. Схемы роста и корреляция закономерностей осаждения и свойств тонких слоев

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 5. Схемы роста и корреляция закономерностей осаждения
14.06.2012

Источник вторичного электропитания для радиоэлектронной аппаратуры, выполненный по технологии «мягкой коммутации» ключей

Васильев В.Ю., Пичугин И.В., Козляев Ю.Д., Семенов Ю.Е., Гордиенко С.М., Фомин В.В. Источник вторичного электропитания для радиоэлектронной аппаратуры, выполненный по технологии «мягкой коммутац
25.11.2012

Особенности проектирования топологии дифференциальных пар и токовых зеркал базовых сложно функциональных блоков субмикронных интегральных микросхем типа «система-на-кристалле»

Карпович М.С., Лебедев Ю.П. Особенности проектирования топологии дифференциальных пар и токовых зеркал базовых сложно функциональных блоков субмикронных интегральных микросхем типа «система-на-к
25.09.2012

Особенности проектирования сложно-функционального блока 14-разрядного цифро-аналогового преобразователя субмикронной интегральной микросхемы типа «система на кристалле»

Карпович М.С., Лысь В.Д., Шлемин Д.Л., Лебедев Ю.П. Особенности проектирования сложно-функционального блока 14-разрядного цифро-аналогового преобразователя субмикронной интегральной микросхемы типа "с
14.06.2012

Дифференциальный КМОП малошумящий усилитель для DRM совместимого радио тюнера

Шлемин Д.Л., Чернов А.С. Дифференциальный КМОП малошумящий усилитель для DRM совместимого радио тюнера / Радиопромышленность, 2012,  Вып.3, с.66-77. Рассмотрен дифференциальный КМОП малошумящий
14.06.2012

Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 4. Обобщенная методология анализа закономерностей процессов роста тонких слоев

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 4. Обобщенная методология анализа закономерностей проц
17.02.2012